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    熔点29.78℃。

    沸点2400℃。

    斜方晶型,各向异性显著。

    超纯镓剩余电阻率比值ρ300K/ρ4.2K为55 000。

    采用化学处理、电解精炼、真空蒸馏、区域熔炼、拉单晶等多种工艺方法制备。

    主要用于电子工业和通讯领域,是制取各种镓化合物半导体的原料。

    竭诚欢迎各界人士前来洽谈业务。

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